熱門搜索：
P760/01_2760nm單模垂直腔面發射激光器
VCSEL-20-M激光控制驅動器
ZNSP25.4-1IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm（晶體/棱鏡
Frequad-W-CW DUV 單頻連續激光器 213nm 10mW Frequad-W
HB-C0BFAS0832x4 QPSK C波段相干混頻器（信號解調/鎖相放大器等）
ER40-6/125截止波長1300nm 高摻雜EDF摻鉺光纖
CO2激光光譜分析儀
SNA-4-FC-UPC日本精工法蘭FC/UPC（連接器/光纖束/光纜）
THL-ZnTe20-500RZNTE（碲化鋅）太赫茲晶體
GD5210Y-2-2-TO46905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm
1030nm超短脈沖種子激光器PS-PSL-1030
IRV2000-1X350-2000nm 1倍紅外觀察鏡
NANOFIBER-400-9-SA干涉型單模微納光纖傳感器 1270-2000nm
高能激光光譜光束組合的光柵 （色散勻化片）
FLEX-BF裸光纖研磨機
S+C+L波段 160nm可調諧帶通濾波器
激光器增益芯片 780nm (調諧范圍40nm 外腔功率輸出30mW)
產品簡介
product
產品分類| 品牌 | 其他品牌 | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學元件 | 應用領域 | 綜合 |
激光器增益芯片 780nm (調諧范圍40nm 外腔功率輸出30mW)
增益芯片是用作外腔半導體激光器或可調諧二極管激光器增益介質的半導體元件。增益芯片被用作TLS（可調諧光源），它可以使用波長選擇濾波器（如衍射光柵）來改變振蕩波長。增益芯片類似于激光二極管芯片，不同的是它在一個或兩個端面上都有較深的抗反射涂層，大大提高或消除了自激閾值。
使用衍射光柵的外腔激光器有兩種：Littrow型和Littman/Metcalf型。Littrow型衍射光柵的初級衍射光直接反饋到半導體激光器中，通過與垂直端面的低反射膜（LR）共振來實現振蕩。由于衍射只進行一次，因此獲得比Littman型更大的光學輸出。
通過旋轉光柵來掃描波長。一般來說，采用腔內消色差透鏡對光柵上較大面積的擴展光束進行準直。零級衍射光束可以作為輸出激光束。Innvolume 增益芯片的產品線可細分為兩大類:
•單面光接入(類型A和B)
•雙面光接入(類型C和D)
在輸出功率從外腔向外耦合的方案中，單邊光纖接入增益芯片是理想的工作元件。通常，它們的封裝形式是晶體管外形罐。雙邊光纖接入增益芯片可用于從增益芯片端面進行功率輸出耦合以減少光損耗的方案中，或用于光放大方案中。
A型增益芯片具有垂直于端面的直條紋，具有高反射和抗反射涂層。這是構造外腔二極管激光器性價比的解決方案。A型增益芯片具有對稱的光束遠場，使用高數值孔徑的非球面透鏡，提供與外腔和后腔的有效耦合。與其他類型相比，這種類型的增益芯片具有相對較低的增益譜紋波抑制，這是由于抗反射涂層的反射率在0.1%的水平上，并且可以通過彎曲條紋到端面的設計來進一步降低反射率。
B型增益芯片具有彎曲條紋，正常側為高反射率，傾斜側為深反射率涂層。彎曲的條紋和抗反射涂層提供極低的反射率(< 10E-5)，允許抑制自激光和最小化增益起伏。彎曲條紋的缺點是輸出光束的畸變，這使準直變得困難，并降低了反向耦合的效率。故必須使用高數值孔徑的光學器件。
C型增益芯片在傾斜側有彎曲條紋和抗反射涂層，在正常側有百分之幾的反射率。波長選擇反饋必須設置在傾斜側(與B型的優點和缺點相同)，而輸出功率則從正常側進行輸出。這種設計使得輸出功率高，輸出光束較好。帶正常條紋的端面反射必須根據系統配置和所需輸出功率分別進行設計。
D型增益芯片有一個傾斜條紋，兩側均有抗反射涂層，通常適用于需要內置放大單元的優良光學方案。創新的刻面涂層技術，包括刻面鈍化，滿足高可靠性要求。符合ISO9001:2008的生產標準，是基于精心設計制造和廣泛測試的結果。每個設備都經過單獨測試，并附帶一組測試數據。
當前位置：
上一個：
返回列表
