產品中心

當前位置：首頁產品中心光電探測器 MCT碲鎘汞探測器碲鎘汞雙極熱電制冷紅外光電探測器

碲鎘汞雙極熱電制冷紅外光電探測器

產品簡介

2.9-5.5um 碲鎘汞雙極熱電制冷紅外光電探測器是一種基于精密碲鎘汞異質結構的雙極熱電制冷紅外光電探測器具有好的性能和穩定性。對器件進行了優化，使得器件在5um處達到大性能，探測器元件與超半球GaAs微透鏡進行單片集成，以提高器件的性能。

產品型號：

更新時間：2024-12-04

廠商性質：經銷商

訪問量：1508

產品咨詢 18602170419

product

產品分類

光電探測器

超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數器光電倍增管其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

tel-phone

400-828-1550

查看全部

article

詳細介紹在線留言

品牌	其他品牌	產地類別	進口
應用領域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36是一種基于精密碲鎘汞異質結構的雙極熱電制冷紅外光電探測器具有好的性能和穩定性。對器件進行了優化，使得器件在5um處達到大性能，探測器元件與超半球GaAs微透鏡進行單片集成，以提高器件的性能。反向偏置可以顯著提高響應速度和動態范圍。它還提高了高頻的性能，但在偏置設備中出現的1/f噪聲可能會降低低頻的性能。3°楔形藍寶石（wAl2O3）窗防止不必要的干擾效應

產品特點

● 高性能

● 歸一化探測率與同類型的非制冷探測器相比，要好一個數量級

● 寬動態范圍

● 體積小巧

封裝及尺寸

參數	數值
浸沒微透鏡形狀	超半球
光敏面積，mm×mm	1×1
R,mm	0.8
A,mm	3.2±0.3

Φ:接受角度

A:從2TE-TO8報頭底部到焦平面的距離

R:超半球微透鏡半徑

功能	引腳定義
探測器	1，3
反向偏置	1（-），3（+）
熱敏電阻	7,9
TE制冷	2（+），8（-）
接地	11
無定義	4,5,6,12

使用和存儲注意事項:

標準歐姆計可能會過偏，損壞探測器。偏置10mV可用于電阻測量

熱阻~2K/W是散熱2TE冷卻器產生的熱量所必需的

在10%至80%濕度和-20°C至30°C環境溫度下運行

光學浸沒探測器的光束功率限制：

● 在表觀光學活性區域上，連續波或單脈沖超過1μs輻照度不得超過2.5W/cm2

● 小于1μs的脈沖的輻照度不得超過10kW/cm2

● 存放在陰涼的地方，濕度為10%至90%，環境溫度為-20°C至50℃。

產品應用

● 非接觸式溫度測量（鐵路運輸、工業和實驗室過程監測）

● 火焰爆炸探測

● 威脅預警系統

● 氣體檢測、監測和分析（CO、CO2、NOx）

● 體內酒精檢測

● 呼吸分析

● 固體分析

● 輸氣管道泄露控制

● 燃燒過程控制

訂購信息

PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36

PVI: 光伏探測器

2TE: 雙極制冷

5: 最佳波長5um

1×1: 光敏面面積1×1mm

TO8: 封裝類型

wAl2O3: 窗口材料

36: 接受角度36°

技術參數

參數	探測器類型
參數	PVI-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36
活性元素材料	外延碲鎘汞異質結
起始波長λcut-on（10%），um	2.9±1.0
峰值波長λpeak，um	4.2±0.5
波長λopt,um	5.0
終止波長λcut-off（10%）,um	5.5±0.3
歸一化探測率D*(λpeak), cm·Hz1/2/W	≥2.0×1011
歸一化探測率D*(λopt), cm·Hz1/2/W	≥9.0×1010
電流響應度Ri(λpeak), A/W	≥2.0
電流響應度Ri(λopt), A/W	≥1.3
時間常數τ, ns	≤80
電阻R,Ω	≥1000
活性元件溫度Tdet，K	~230
光敏面大小，mm×mm	1×1
封裝	TO8
接受角φ	~36°
窗口	wAl2O3